英特尔再掀科技革命3D晶体管技术解析

英特尔再掀科技革命 3D晶体管技术解析

自1947年晶体管问世以来，晶体管技术飞速发展。为开发更强大、成本效益更好、能效更高的产品铺平了道路，要想按照摩尔定律的步调不断进步，就必须进行大量创新。近期值得关注的创新成果是应变硅和高-K金属栅极。现在，英特尔将为晶体管设计带来另一项革命--这将在各种计算设备(从服务器到台式机，从笔记本电脑到手持设备)中实现前所未有的高性能和能效。

Intel 3-D三栅极晶体管

3-D三栅级晶体管代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。几十年来，2-D晶体管不仅在计算机、、消费电子产品中得到了广泛应用，还用于汽车、航空、家用电器、医疗设备以及数千种日用设备的电子控制中。英特尔CEO保罗 欧德宁表示，英特尔科学家和工程师通过采用3-D结构，再一次实现了晶体管革命。随着摩尔定律推进到新的领域，3-D结构将帮助人们打造令人惊叹且能改变世界的设备。

摩尔定律(Moore's Law)

科学家早就意识到3-D结构对延续摩尔定律的重要意义，因为面对非常小的设备尺寸，物理定律成为晶体管技术进步的障碍。5月4日宣布的革命性成果，其关键在于英特尔能够把全新的3-D三栅极晶体管设计设入批量生产，开启了摩尔定律又一新时代，并且为各种类型的设备的下一代创新打开了大门。

摩尔定律：摩尔定律预测了硅技术的发展步伐，晶体管密度大约每两年便会增加一倍，同时其功能和性能将提高，而成本则会降低。40多年来，摩尔定律已经成为半导体行业的基本商业模式。

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